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IRF540N Transistor Mosfet 33A 100V Canal-N
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 33 A
- Tension Drain Source maximum 100 V
- Résistance Drain Source maximum 0,044 Ω
- Tension de seuil maximale de la grille 4V
- Tension de seuil minimale de la grille 2V
- Tension Grille Source maximum ±20 V
- Type de boîtier TO-220AB
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 130 W
- Configuration Simple
- Longueur 10.54mm
- Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77mm
- Retard à la conduction typique 11 ns
- Hauteur 8.77mm
- Température d'utilisation maximum +175 °C
- Capacitance d'entrée typique @ Vds 1960 pF @ 25 V
- Retard au blocage typique 39 ns
- Largeur 4.69mm
- Nombre d'éléments par circuit 1
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Charge de Grille type @ Vgs 71 nC @ 10 V
0.00 DH
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- Longueur 10.54mm
- Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77mm
- Retard à la conduction typique 11 ns
- Hauteur 8.77mm
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Vente IRF540N Transistor Mosfet 33A 100V Canal-N en ligne au Maroc
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